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【师资博士后】宁静博士

时间:2017-10-28 17:00 点击:

宁静博士,优秀师资博士后,2015年7月进站,合作导师郭立新教授,入站后成果:
      一、教学情况
      1. 完成2015年下半学期本科专业基础课《射频电路基础》听课和助教共计48学时,获得优秀;
      2. 完成2016年上半学期本科专业基础课《模拟电子技术基础》听课和助教共计64学时,获得优秀。
      3. 目前正在担任2017年下半学期本科专业基础课《射频电路基础》教学工作,共计48学时。
      4. 已完成指导2017年本科毕业生课程设计7人。
      5. 2015年9月起-至今,担任1514022班班主任工作。
      二、主持基金
      主持国家科研项目及省级科研项目等,主持经费超过万。
      1. 已获批国家自然科学基金青年基金1项(项目编号:61604115,20万,第一负责人,2017.01-2019.12);
      2. 已获批中国博士后面上基金(一等资助)1项(编号:2015M580814,8万,第一负责人,2015.12 -2017.07);
     3. 已获批陕西省重点产业创新链1项(项目编号:2017ZDCXL-GY-11-03,105万,第一负责人,2017.01-2019.12);
      4. 已获批陕西省博士后科研项目1项(项目编号:XJS15066,5万,第一负责人,2016.01-2018.12);
      5. 已获批陕西省博士后配套项目1项(6万,第一负责人,2017.01-2018.12);
      6. 已获批基本科研业务费1项(项目编号:JB161103,8万,第一负责人,2016.01-2017.12)。
      三、论文发表
      共发表篇论文,其中以第一作者发表一区论文篇,以及二区论文篇;以通讯作者发表二区论文篇。
     1. Jing Ning, Dong Wang *, Jincheng Zhang *, Xin Feng, Ruixia Zhong, Jiabo Chen, Jianguo Dong, Lixin Guo, and Yue Hao.One-step synthesis of novel snowflake-like Si-O/Si-C nanostructures on 3D graphene/Cu foam by chemical vapor deposition. Nano Research. DOI:10.1007/s12274-017-1804-z.(SCI一区, IF=7.354)
    2. Jing Ning, Dong Wang*, Yang Chai, Xin Feng, Meishan Mu, Lixin Guo, Jincheng Zhang*,Yue Hao. Review on mechanism of directly fabricating wafer-scale graphene on dielectric substrates by chemical vapor deposition. Nanotechnology.DOI:10.1088/1361-6528/aa6c08.(TOP期刊) (SCI二区, IF=3.440)
      3. Jing Ning, Dong Wang *, Jincheng Zhang*, Lixin Guo, Yue Hao. Investigation of dielectric substrates on electrical and optical performance of wafer-scale graphene using non-contact methods. Semiconductor Science and Technology. DOI:10.1088/1361-6641/aa832f. (SCI二区, IF=2.305)
    4. Peng Wu, Dong Wang, Jing Ning *, Jincheng Zhang*, Xin Feng, Jianguo Dong,Yue Hao.Nove3D porous graphene/Ni3S2 nanostructures for high-performance supercapacitor electrodes. Journal of Alloys and Compounds. DOI: 10.1016/j.jallcom.2017.10.060.(TOP期刊) (SCI二区, IF=3.133)
      四、专利授权及申请

      共授权国家发明专利项,申请国家发明专利项,均为第一发明人
     1. 宁静;王东;韩砀;闫景东;柴正;张进成;郝跃。基于GaN衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法及制造的器件。发明专利,ZL201210408272.6。获批时间:2015.09.09。
     2. 宁静;王东;韩砀;闫景东;柴正;张进成;郝跃。一种GaN衬底转移石墨烯的退火工艺及制作的器件。发明专利,ZL201210408235.5。获批时间:2015.08.12。
    3. 宁静;王东;韩砀;闫景东;柴正;张进成;郝跃。一种基于AlN衬底的石墨烯转移退火方法。发明专利,ZL201210408212.4。获批时间:2015.07.29。
      4. 宁静;王东;韩砀;闫景东;柴正;张进成;郝跃。蓝宝石衬底转移石墨烯的退火方法。发明专利,ZL201210408221.3。获批时间:2015.07.29。
      5. 宁静; 冯欣;王东;钟瑞霞;吕宝琴;张进成;郝跃。3D纳米多孔金属材料的制备方法。发明专利,20160987649.6。申请时间:2016.11.10。
     6. 宁静;王东;张进成;陆芹;穆美珊;郝跃。超三维石墨烯的制备方法。发明专利,201610178422.7。申请时间:2016.03.25。
     7. 宁静;王东;张进成;陆芹;穆美珊;郝跃。基于三维石墨烯/四氧化三锰复合电极材料的制备方法。发明专利, 201610176893.4 。申请时间:2016.03.25。
      五、获奖及报告成果
      1. 获得2017年西安电子科技大学优秀博士学位论文;
      2. 2017年作为指导老师带领学生参加2017“互联网+”大赛,获得陕西赛区金奖;
      3. 2016年1月在2DLM国际会议上作专题报告一次;
      4. 2016年5月在NDNC国际会议上作专题报告一次;
      5. 2015年11月在ICAMPE国际会议上作分会邀请报告一次;